一个小时🔙🁄之后，鹿岛智树、曹飞他们参观返回办公大楼。一行人在听了余子贤有关光刻胶有可能断货情况的🕺🎩简要介绍之后，纷纷皱眉。
鹿岛智树也给大家🀶🁓🅖简要介绍了一下有关♀🅗🆨光刻胶的情况。
光刻胶是由感光树脂、增感剂和溶剂三种主🕈要成份组成的、对光敏感的混合液体。
利📾用光化学反应，经曝光、显影、刻蚀等工艺将所需要的微细图形从掩模版转移到待加工基片上的图🏷形转移介质，其中曝光是通过紫外光、电子束、准分子激光束、X射线、离子束等曝光源的照射或辐射，从而使光刻胶的溶解度发生变化。
按照应用领域分类，光刻胶主要包括印制电路板（PCB）光刻胶专用化学品（光引发剂和树脂）💡📘、液晶显示器（LCD）光刻胶光引发剂、半导体光刻胶光引发剂和其他用途光刻胶四大类。
光刻胶自1959年被发明以来一直是半导体核心材料，随后被改进运用到PCB板的制造，并于这几年开始运用到平板🔳🄫显示的加工制造。最终应用领域包括消费电子、家用电器、汽车通讯等。
光刻工艺约占整个芯片制造成本的35%，耗时占整个芯片工艺的4🁧0%~60%，是半导体♳🌞⛹制造中最核心的工艺。
以半导体光刻胶为例，在光刻工艺中，光🍻刻胶被均匀涂布🙄🇳在衬底上，经过曝光(改变光刻胶溶解度)、显影(利用显影液溶解改性后光刻胶的可溶部分)与刻蚀等工艺，将掩膜版上的图形转移到衬底上，形成与掩膜版完对应的几何图形。
光📾刻技术随着芯片集成度的提升而不断发展。为了满足集成电路对密度和集成度水平的更高要求，半导体用光刻胶通过不断缩短曝光波长以提高极限分辨率。
世界芯片🔙🁄工艺水平此时已跨入微纳米级别纳🕈，光刻胶的波长由紫外宽谱逐步至g线（436n、i线（365n。目前，半导体市场上主☧🁴要使用的光刻胶包括g线、i线两类光刻胶，而光刻胶核心技术基本被曰本和美国企业所垄断。
光刻胶不仅具有纯度要求高、工艺复杂等特征，还☱🃏🖳需要相应光刻机与之配对调试。一般情况下，一个芯片在制造过程中需要进行10~50道光刻过程，由于基板不同🍌🆬💥、分辨率要求不同、蚀刻方式不同等，不同的光刻过程对光刻胶的具体要求也不一样，即使类似的光刻过程，不同的厂商🖥🔬也会有不同的要求。
针对不同应用需求，光刻胶的品种非常多，这些差异主要通过调整光刻胶的配方来实现。因此，通过调🕯整光刻胶的配🄉🞼🙢方，满足差异化的应☧🁴用需求，是光刻胶制造商最核心的技术。
听着鹿岛智树🗰🟕🝃的介绍，余子贤也想🍔🇴到了此时国内🞟🕙半导体材料的发展情况。
国内半导体光刻胶起步很晚，就算是有♀🅗🆨一些厂家和院所生产的光刻胶，技术水平非常落后，只能应用于一些研究院所的小批量使用。
就算是在20年后，⛸🟎半导体材料生产产能主要集中在PCB光刻胶、TN/STN-LCD光刻胶等中低端产品，TFT-LCD、半导体光刻胶等高技术壁垒产品产能极少，仍需大量进口，从而导致国内光刻胶需求量远大于本土产量。