忆阻器之🗫🞧前只存在于理论预测当中，之前却是没有那个研发机构真正地研制出来。
杨杰这重生者也是再次做作弊，提出了用硫氧化钼和石墨烯分别作为忆阻器的介质层👿🎪和电极材料制备了三明治结构的异质结的技术方案。
技术团队根据这个技术方案也是迅速地找到了这个忆阻器的制备工艺，将石墨烯、硫氧化钼、石墨👿🎧📞烯堆叠在一起形成具有原子级平整度界面的范德华异质结。
测试🔋结果显示这种基于全二维材料的异质结能够实现非常稳定的开关，擦写次数超过千万次，擦写速度小于100纳秒，并且拥有很好的非挥发性。
如此高性能的异质结让设计出来的🏒忆💃阻器阵列直接使用欧姆定律进行加法运算，使用基尔霍夫定律进行乘法运算，因而能够实现并行存内运算，从而模拟存内计算，实现速度和能效的大幅提升，减小误差，非常完美🅛🗼地实现了神经触突核心电路的功能。
这🎍🏱个也是神经元计算机能够得以实现的关键所在。🁟
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